Minoritätsladungsträger

Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Die Minoritätsladungsträger sind:

• bei p-Dotierung die Elektronen
• bei n-Dotierung die Defektelektronen (Löcher).

Sie können mittels Oberflächenphotospannung detektiert und quantifiziert werden.

Aus den Gleichungen für die Majoritätsladungsträger-Konzentration ${\displaystyle p}$ bzw. ${\displaystyle n}$^[1] für Einfach-Dotierungen deutlich größer der Eigenleitungsdichte ${\displaystyle n_{i}}$ des Halbleiters

• im p-Gebiet

${\displaystyle p=p_{p}\approx N_{A}^{\,-}\approx N_{A}=\mathrm {const.} }$ (bei Raumtemperatur)

bzw.

• im n-Gebiet

${\displaystyle n=n_{n}\approx N_{D}^{+}\approx N_{D}=\mathrm {const.} }$ (bei Raumtemperatur)

ergibt sich im thermodynamischen Gleichgewicht wegen

${\displaystyle {\begin{aligned}n\cdot p&=n_{i}^{2}\\&=4\cdot \left({\frac {2\cdot \pi \cdot k\cdot T}{h^{2}}}\right)^{3}\cdot (m_{n}\cdot m_{p})^{3/2}\cdot \exp \left(-{\frac {W_{G}}{k\cdot T}}\right)\end{aligned}}}$

die Minoritätsladungsträgerkonzentration^[1]

• für das p-Gebiet:

${\displaystyle n_{p}\approx {\frac {n_{i}^{2}}{N_{A}}}=\mathrm {const.} \ll p_{p}}$

• für das n-Gebiet

${\displaystyle p_{n}\approx {\frac {n_{i}^{2}}{N_{D}}}=\mathrm {const.} \ll n_{n}}$

• QSSPC

1. ↑ ^{a b} Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, Berlin/Heidelberg/New York 2005, ISBN 3-540-22316-9, S. 68 ff.